乐蒙网中科汇珠申请改善碳化硅外延片表面微坑缺陷的外延方法及半导体器件专利, 减少碳化硅外延片表面微坑缺陷的数量

金融界2025年7月7日消息乐蒙网，国家知识产权局信息显示，中科汇珠（广州）半导体有限公司申请一项名为“改善碳化硅外延片表面微坑缺陷的外延方法及半导体器件”的专利，公开号CN120250152A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了改善碳化硅外延片表面微坑缺陷的外延方法及半导体器件，涉及碳化硅外延技术领域。方法包括：提供碳化硅衬底；刻蚀碳化硅衬底；在衬底表面生长缓冲层；在缓冲层的表面生长第一外延层，其中，第一外延层的第一生长速率为50μm/h～80μm/h；在第一外延层的表面生长第二外延层，其中，第二外延层的第二生长速率小于第一生长速率，为5μm/h～50μm/h，第二碳硅比小于第一碳硅比，为0.6～1；第二外延层的厚度为0.1μm～1μm；降温并取样。通过在高碳硅比氛围下高速外延出第一外延层，再在低碳硅比氛围下低速外延出第二外延层作为修饰层，减少了碳化硅外延片表面微坑缺陷的数量。

天眼查资料显示，中科汇珠（广州）半导体有限公司，成立于2022年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科汇珠（广州）半导体有限公司参与招投标项目6次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可5个。

本文源自：金融界

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